[发明专利]具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件有效
| 申请号： | 200980149202.X | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102246308A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·A·叶季纳科;阿肖克·沙拉;丹尼尔·M·金泽;迪安·E·普罗布斯特 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 击穿 电压 特性 基于 沟槽 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：延伸到所述半导体区中的多个主要沟槽，所述多个沟槽的每一个具有第一末端、第二末端和衬有介电层的相对侧壁，每个沟槽进一步具有屏蔽电极；延伸到所述半导体区内且与所述主要沟槽的所述第一末端相邻布置并与所述主要沟槽的所述第一末端间隔开的末端沟槽，所述末端沟槽具有衬有介电层的相对侧壁和布置在所述末端沟槽中的电极；以及布置在所述末端沟槽和所述主要沟槽的所述第一末端之间的间隙区，所述间隙区处于浮置电位。
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