[发明专利]相位差元件有效
申请号: | 200980147891.0 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN102227656A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 深谷重一;大本泉;市川圣子;田中兴一;龟田真由 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社;日本化药株式会社;宝来技术株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C08F20/30;C08J5/00;C08L57/10;G02F1/13363 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种耐热性优良、高温氛围下相位差值的变化少、可以维持稳定的光学性能的相位差元件。本发明的相位差元件的特征在于,含有选自下述式(1)所示的化合物、下述式(2)所示的化合物及下述式(3)所示的化合物中的至少1种化合物和液晶性化合物。式(1)中,n表示3~10的整数,R2表示-CH2-CH2-基、-CH2-CH(CH3)-基或者-CH2-CH2-CH2-基。式(2)中,R3表示-(CH2)p-基或者亚苯基,p表示4~8的整数。式(3)中,R4表示取代亚苯基。式(1)~式(3)中,R1-1、R1-2、R1-3表示碳原子数5以上的具有支化结构的烷基。R1-1、R1-2、R1-3可以相同,也可以不同。 | ||
搜索关键词: | 相位差 元件 | ||
【主权项】:
1.一种相位差元件,其特征在于,含有选自由下述式(1)所示的化合物、下述式(2)所示的化合物及下述式(3)所示的化合物构成的组中的至少1种化合物和液晶性化合物,
式(1)中,n表示3~10的整数,R2表示-CH2-CH2-基、-CH2-CH(CH3)-基或者-CH2-CH2-CH2-基,式(2)中,R3表示-(CH2)p-基或者亚苯基,p表示4~8的整数,式(3)中,R4表示取代亚苯基,式(1)~式(3)中,R1-1、R1-2、R1-3表示碳原子数5以上的具有支化结构的烷基,R1-1、R1-2、R1-3相同或不同。
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