[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的TFT基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 200980147575.3 申请日: 2009-11-19
公开(公告)号: CN102227678A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 美崎克纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02B5/20;G02F1/1335;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 以良好的制造效率提供显示质量高的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包含反射区域和透射区域,具备:TFT基板,其具备形成在TFT上的第1透明层和第2透明层以及形成在第1透明层或者第2透明层上的像素电极;相对基板;以及液晶层,形成在反射区域内的第1子像素电极形成在第2透明层的面上,形成在透射区域内的第2子像素电极形成在第1透明层的面上,第2透明层包括第1突起,所述第1突起以比第1子像素电极更向液晶层侧突出、包围第1子像素电极和第2子像素电极的方式形成。
搜索关键词: 液晶 显示装置 tft 制造 方法
【主权项】:
一种液晶显示装置,具备多个像素,所述像素包括:反射区域,其使从显示面侧射入的光反射来进行显示;以及透射区域,其使从与上述显示面相反的一侧射入的光透射来进行显示,所述液晶显示装置具备:TFT基板,其具备按上述多个像素中的每一个配置的TFT、形成在上述TFT上的第1透明层和第2透明层以及形成在上述第1透明层或者上述第2透明层上的像素电极;相对基板,其具备与上述像素电极相对的相对电极;以及液晶层,其配置在上述TFT基板和上述相对基板之间,上述像素电极包括形成在上述反射区域内的第1子像素电极和形成在上述透射区域内的第2子像素电极,上述第1子像素电极形成在上述第2透明层的上述液晶层侧的面上,上述第2子像素电极形成在上述第1透明层的上述液晶层侧的面上,上述第2透明层包括第1突起,所述第1突起以比上述第1子像素电极更向上述液晶层侧突出、包围上述第1子像素电极和上述第2子像素电极的方式形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980147575.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top