[发明专利]半导体基板的制造方法、半导体基板、电子器件的制造方法、及反应装置无效
| 申请号： | 200980144603.6 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102210010A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦;高田朋幸;山田永 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/268;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/338;H01L21/8222;H01L21/8234;H01L21/8248;H01L27/06;H01L27/088;H01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括具有单晶层且被热处理的被热处理部和应被保护不受因热处理而施加的热的影响的被保护部的底板基板进行热处理的制造半导体基板的方法，包括设置保护被保护部不受照射到底板基板的电磁波影响的保护层的步骤、和通过对底板基板整体照射电磁波而对被热处理部进行退火的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 电子器件 反应 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体基板的制造方法，其对底板基板进行热处理来制造半导体基板，该底板基板设置有：具有单晶层且将要被热处理的被热处理部、和应被保护而不受由所述热处理所施加的热的影响的被保护部，该半导体基板的制造方法包括：在所述被保护部的上方设置保护所述被保护部不受照射到所述底板基板的电磁波影响的保护层的步骤；和通过对所述底板基板的所述被热处理部和所述被保护部照射所述电磁波，对所述被热处理部进行退火的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980144603.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能供电和便于更换电池的道路交通安全导引标记
- 下一篇：一种信号指示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
