[发明专利]用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统

摘要

提供用于检测掩模版上的缺陷的系统和方法。一种方法包括使用光刻工艺参数的不同的值，在晶片的第一种区域中印刷单管芯掩模版，并且使用所述参数的标称值，在至少一个第二种区域中印刷单管芯掩模版。所述方法还包括获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像。此外，所述方法包括分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个。所述方法还包括基于所述第一图像的第一部分中变化在与所述至少一个第二图像相比的所述第一图像中大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷。

主权项

一种用于检测掩模版上的缺陷的方法，所述方法包括：在晶片上的第一种区域和所述晶片上的至少一个第二种区域中印刷掩模版，其中所述掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中，其中所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中，并且其中所述掩模版是单管芯掩模版；使用晶片检查系统获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像；分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，在所述第一图像中的变化；以及基于在所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图像的第二部分的所述第一部分以及对所述第一图像中的两个或更多个共同的所述第一部分，检测所述掩模版上的缺陷，其中所述缺陷包括所述掩模版上的晶体生长缺陷。