[发明专利]形成光电转换装置用波长转换膜的组合物、光电转换装置用波长转换膜以及光电转换装置无效
| 申请号: | 200980143218.X | 申请日: | 2009-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN102203951A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 今村光 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;C08L101/02;C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的课题是,通过应用不分散波长转换物质且不使用稀土类而形成的波长转换膜,来提高光电转换效率。提供用于通过旋涂等方式简易地形成这样的波长转换膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是,提供一种形成光电转换装置用波长转换膜的组合物,其含有导入了荧光部位的聚合物或低聚物、以及溶剂。荧光部位被导入聚合物或低聚物的主链或侧链。另外,还提供由该形成波长转换膜的组合物形成的光电转换装置用波长转换膜。 | ||
| 搜索关键词: | 形成 光电 转换 装置 波长 组合 以及 | ||
【主权项】:
一种形成光电转换装置用波长转换膜的组合物,其含有:具有荧光部位的聚合物或低聚物、以及溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





