[发明专利]显示装置用Al合金膜、显示装置和溅射靶无效

专利信息
申请号: 200980142715.8 申请日: 2009-11-05
公开(公告)号: CN102197335A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 南部旭;后藤裕史;三木绫;奥野博行;中井淳一;岸智弥;高木敏晃;难波茂信;长尾护;小林宣裕 申请(专利权)人: 株式会社神户制钢所
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/786
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜,提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜,其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜,该Al合金膜含有0.05~2.0原子%的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素,同时含有0.02~2原子%的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素,且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
搜索关键词: 显示装置 al 合金 溅射
【主权项】:
一种显示装置用Al合金膜,其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜,该Al合金膜含有0.05~2.0原子%的Ge、和选自由Ni、Ag、Co、Zn和Cu构成的元素组X中的至少1种元素,并且含有0.02~2原子%的选自由稀土类元素构成的元素组Q中的至少1种元素,并且,所述Al合金膜中存在含Ge的析出物和Ge浓化部中的至少1个。
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