[发明专利]等离子体CVD装置、半导体膜的制造方法、薄膜太阳能电池的制造方法以及等离子体CVD装置的清洗方法

摘要

在等离子体CVD装置中具备：制膜室(4)；保持构件，保持设置在所述制膜室(4)内的被处理基板；喷头(5)，设置在所述制膜室(4)内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；自由基生成室(8)，相对于所述喷头(5)在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及开闭自如的闸门(9)，设置在所述喷头(5)与所述自由基生成室(8)之间。

主权项

一种等离子体CVD装置，其特征在于，具备：制膜室；保持构件，保持设置在所述制膜室内的被处理基板；喷头，设置在所述制膜室内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；自由基生成室，相对于所述喷头在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及开闭自如的闸门，设置在所述喷头与所述自由基生成室之间。