[发明专利]CT系统所用检测器的检测器材料、检测器元件以及检测器有效
申请号: | 200980140817.6 | 申请日: | 2009-04-16 |
公开(公告)号: | CN102187462A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 彼得·哈肯施米德;马蒂亚斯·施特拉斯堡 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/115 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李慧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于一检测器的检测器材料,所述检测器应用于CT系统,特别是双能CT系统,所述检测器材料包括一掺杂半导体。本发明的特征在于,所述半导体中掺杂有一具有一定浓度的施主,其中,所述施主的浓度至少为该施主在所述半导体材料中最大溶解度的50%,且所述施主在所述半导体中形成具有激励能ED的浅杂质。所述浅杂质可电离且可产生附加的自由迁移载流子。这些自由迁移载流子可被空间分离的深杂质捕获,从而减少带有电荷的深杂质的数量。这样就能防止出现纯粹与时间及辐射相关的效应,例如极化。本发明此外还涉及所述检测器材料在用于对一待检对象进行断层摄影的CT系统或双能CT系统中的应用。 | ||
搜索关键词: | ct 系统 所用 检测器 材料 元件 以及 | ||
【主权项】:
一种用于一检测器的检测器材料,所述检测器应用于CT系统,特别是双能CT系统,所述检测器材料由一掺杂有一施主的半导体构成,其特征在于,所述施主的浓度达到所述施主在所述半导体材料中的最大溶解度,以及所述施主在所述半导体材料中形成浅杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的