[发明专利]氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系发光二极管的方法

摘要

本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D13大于InGaN层(15)的厚度DInGaN，且InGaN层(15)的厚度DInGaN为150nm以上。InGaN层(15)设置于半导体区域(13)的主面13a的正上方，且与主面(13a)相接。活性层(17)设置于InGaN层(15)的主面15a上，且与该主面(15a)接触。活性层(17)包含InGaN阱层(21)。

主权项

一种氮化镓系半导体发光元件，其特征在于，包括：半导体区域，其包含氮化镓系半导体；InGaN层，设置在所述半导体区域的所述主面的正上方；活性层，含有包含InGaN的阱层，且设置在所述InGaN层的主面上；以及支撑基体，其包含六方晶系氮化镓，且具有相对于与该氮化镓的[0001]轴方向的基准轴正交的平面以10度以上且80度以下倾斜的主面，所述InGaN层设置于所述活性层与所述半导体区域之间，所述半导体区域的所述主面相对于与在该主面的[0001]轴方向上延伸的基准轴正交的平面倾斜而表现出半极性，所述半导体区域包含一个或多个氮化镓系半导体层，各氮化镓系半导体层包含GaN、AlGaN、InGaN或InAlGaN，所述半导体区域的所述主面的材料与所述InGaN层不同，所述半导体区域的厚度大于所述InGaN层的厚度，所述InGaN层具有100nm以上的厚度，所述半导体区域搭载于所述支撑基体的所述主面上，所述InGaN层具有与所述基准轴正交的第一方向上的第一InGaN晶格常数及与所述基准轴正交的第二方向上的第二InGaN晶格常数，所述第一方向与所述第二方向正交，所述支撑基体具有与所述基准轴正交的第一方向上的第一GaN晶格常数及与所述基准轴正交的第二方向上的第二GaN晶格常数，所述第一InGaN晶格常数与所述第一GaN晶格常数相等，所述第二InGaN晶格常数与所述第二GaN晶格常数不同。