[发明专利]用于互连集成的非连续/非均匀金属帽盖结构及方法无效
| 申请号： | 200980138898.6 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102171810A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | L·M·吉纳克;C·胡;S·米塔尔;C·杨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种互连结构，其包括含有贵金属的帽盖，所述帽盖至少存在于嵌入互连介电材料中的至少一个导电材料的上表面的某部分上。在一个实施例中，含有贵金属的帽盖是非连续的，例如，作为至少一个导电材料的上表面上的核或岛而存在。在另一实施例中，含有贵金属的帽盖具有跨至少一个导电材料的表面的非均匀厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 集成 连续 均匀 金属 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构，其包括：介电材料，其具有约3.0或更小的介电常数和嵌入其中的至少一个导电材料，所述至少一个导电材料具有与所述介电材料的上表面共面的上表面；以及非连续的含有贵金属的帽盖，其至少存在于所述至少一个导电材料的所述上表面的某部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138898.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
