[发明专利]制造薄膜晶体管的方法和装置无效
| 申请号： | 200980138759.3 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102177462A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李亨燮 | 申请（专利权）人： | JS光源科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法和装置，其通过激光构图工艺对欧姆接触层进行构图，从而能够防止对半导体层造成损伤，并减少制造时间，其中该方法包括在基板上形成栅电极图案；在所述栅电极图案上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上顺序地形成半导体层图案和欧姆接触层图案；在所述欧姆接触层图案上形成源电极和漏电极图案，其中所述源电极和漏电极图案在彼此之间相距固定间隔；以及通过使用激光去除在所述源电极和漏电极图案之间暴露出的欧姆接触层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制造TFT的方法，包括：在基板上形成栅电极图案；在所述栅电极图案上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上顺序地形成半导体层图案和欧姆接触层图案；在所述欧姆接触层图案上形成源电极和漏电极图案，其中所述源电极和漏电极图案在彼此之间相距固定间隔；以及通过使用激光去除在所述源电极和漏电极图案之间暴露出的欧姆接触层图案。
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