[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 200980137715.9 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102165567A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 山下润;伊佐和裕;中村秀雄;北川淳一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在对埋设于载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体处理装置(100)中,在对于作为电极的载置台(5)作为相对电极作用的铝制的盖部(27)的暴露于等离子体中的表面,涂覆保护膜(48),优选Y2O3膜(48)。在形成处理容器(1)的下侧部分的第一部分(2)和形成处理容器(1)的上侧部分的第二部分(3),设置有绝缘性的上部衬套(49a)和形成得更厚的绝缘性的下部衬套(49b)。防止不希望出现的短路和异常放电,形成稳定的高频电流路径。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:上部开口的处理容器;向所述处理容器内供给处理气体的气体供给机构;对所述处理容器内进行减压排气的排气机构;在所述处理容器内载置被处理体的载置台;埋设于所述载置台,用于对被处理体施加偏压的第一电极;以至少一部分与所述处理容器内的等离子体生成区域相邻的方式配置,相对所述第一电极隔着等离子体处理空间设置的由导电性部件形成的第二电极;由所述第二电极支承,封闭所述处理容器的所述开口并且使微波透过的电介质板;和设置在所述电介质板的上方,经由波导管与微波发生装置连接,向所述处理容器内导入微波的平面天线,其中,在所述第二电极的表面中的与所述等离子体生成区域相邻的部分设置有由金属氧化物形成的保护膜,并且所述处理容器的上部的内壁面由第一绝缘性衬套覆盖,且所述处理容器的下部的内壁面由与所述第一绝缘性衬套连接的第二绝缘性衬套覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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