[发明专利]使用非易失性磁性存储器的低电力电子系统有效
| 申请号： | 200980137236.7 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102160016A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 马修·迈克尔·诺瓦克;刘·蔡-奥安;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/32 | 分类号： | G06F1/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种计算系统，其包括至少一个功能单元及耦合到所述至少一个功能单元的磁性随机存取存储器(MRAM)块。所述MRAM块经配置以在所述至少一个功能单元的断电状态期间存储所述至少一个功能单元的功能状态。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 非易失性 磁性 存储器 电力 电子 系统 | ||
【主权项】：
一种计算系统，其包含：至少一个功能单元；以及磁阻随机存取存储器(MRAM)块，其耦合到所述至少一个功能单元，所述MRAM块经配置以在所述至少一个功能单元的断电状态期间存储所述至少一个功能单元的功能状态。
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