[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。在具有晶体管对的半导体装置中，既能抑制电路面积的增大，又能够抑制成对的晶体管特性的不平衡。晶体管(1a、1b)具有活性区域图案彼此相同的区域(A1a、A1b)，晶体管(2a、2b)具有活性区域图案彼此相同的区域(A2a、A2b)。晶体管(2a、2b)的活性区域(13a、13b)在沟道长方向上的长度比晶体管(1a、1b)的活性区域(11a、11b)长，区域(A2a、A2b)与区域(A1a、A1b)相比，沟道长方向上的宽度窄。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1及第2晶体管，沟道长度及沟道宽度彼此相等，且作为晶体管对来使用；和第3及第4晶体管，沟道长度及沟道宽度彼此相等，且作为晶体管对来使用，所述第1及第2晶体管具有第1及第2活性区域相同区域，其由该晶体管的活性区域和在所述活性区域的周围隔着元件分离区域所形成的周围活性区域组成的活性区域图案彼此相同，所述第3及第4晶体管具有第3及第4活性区域相同区域，其由该晶体管的活性区域和在所述活性区域的周围隔着元件分离区域所形成的周围活性区域组成的活性区域图案彼此相同，所述第3及第4晶体管的活性区域与所述第1及第2晶体管的活性区域相比，沟道长方向上的长度长，所述第3及第4活性区域相同区域与所述第1及第2活性区域相同区域相比，沟道长方向上的宽度窄。