[发明专利]等离子体掺杂方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980131469.6 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102124543A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 邻嘉津彦;西桥勉 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体掺杂方法，其可将杂质均匀地注入待处理物内。该方法为，在生成作为P型杂质的含硼的乙硼烷气体和作为稀有气体的氩气的等离子体时，不为硅衬底13施加偏压电位，使该等离子体中的硼原子团21沉积在硅衬底13的表面上。然后，停止提供乙硼烷气体，并为硅衬底13施加偏压电位，使等离子体中的氩离子22向硅衬底13表面照射。通过使照射的氩离子22撞击硼原子团21，将硼原子团21注入硅衬底13内。通过热处理激活已注入的硼原子团21，即可在硅衬底13内形成P型杂质扩散层23。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 掺杂 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种等离子体掺杂方法，该方法是将杂质注入待处理物内部的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括：第1工序，生成含所述杂质气体的等离子体，使该等离子体中的所述杂质的原子团沉积到待处理物的表面上；第2工序，向所述第1工序中沉积在所述待处理物表面上的原子团照射离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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