[发明专利]用于在低压气相中沉积薄层聚合物的方法

摘要

本发明涉及一种用于沉积一个或多个薄层的方法，其中，形成聚合物的过程气体与载气体一起借助于进气机构(3)流入沉积腔(8)，以便在基体(7)的位于承接器(4)的与进气机构(3)间隔相对的支承面(4`)上的表面(7`)上沉积尤其是形式为聚合物的薄层。为了能够在仅略高于承接器的支承面的温度的基体温度下进行涂层过程，本发明建议，这样地设定进气机构(3)和/或支承面(4`)的温度，使得支承面(4`)的温度(TS)低于进气机构(3)的温度(TG)，其中，在过程气体进入沉积腔(8)之前，在沉积腔(8)在第一压力(P1)下，位于支承面(4`)上的基体(7)通过向承接器(4)的热量排放稳定于一个基体温度(TD)，该基体温度仅略高于支承面(4`)的温度(TS)但明显低于进气机构(3)的温度(TG)，接着，沉积腔(8)内的压力(P1)减小到过程压力(P2)，并且在达到过程压力(P2)时，过程气体进入沉积腔(8)内。

主权项

一种用于沉积一个或多个薄层的方法，其中，尤其是有机材料或者聚合物形成的过程气体与载气体一起借助于进气机构(3)流入沉积腔(8)，以便在基体(7)的位于承接器(4)的与进气机构(3)间隔相对的支承面(4`)上的表面(7`)上沉积尤其是形式为聚合物的薄层，其特征在于，这样地设定进气机构(3)和/或支承面(4`)的温度，使得支承面(4`)的温度(TS)低于进气机构(3)的温度(TG)，其中，在过程气体进入沉积腔(8)之前，在沉积腔(8)内在第一压力(P1)下，位于支承面(4`)上的基体(7)通过向承接器(4)的热量排放稳定于一个基体温度(TD)，该基体温度仅略高于支承面(4`)的温度(TS)但明显低于进气机构(3)的温度(TG)，接着，沉积腔(8)内的压力(P1)减小到过程压力(P2)，并且在达到过程压力(P2)时，过程气体进入沉积腔(8)。