[发明专利]用于抛光含硅基材的方法和组合物有效
| 申请号： | 200980130098.X | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102149783A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯科.德雷吉塞索罗;陈湛 | 申请（专利权）人： | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光(CMP)组合物和方法。本发明的方法包括以下步骤：使含硅基材与抛光垫和含水CMP组合物接触，和使该抛光垫与该基材之间发生相对运动，同时保持该CMP组合物的一部分与该基材的该表面接触以磨除该基材的至少一部分。该CMP组合物包含二氧化铈研磨剂、带有具有4～9的pKa的官能团的抛光添加剂、具有亲水部分和亲油部分的非离子型表面活性剂，其中该亲水部分具有500g/mol或更高的数均分子量、和含水载体，其中该组合物的pH为7或更小。该方法减少晶片上的缺陷，尤其是高移除率的局部区域。该方法还可用于以相对于半导体含硅基材的高速率抛光介电含硅基材。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 基材 方法 组合 | ||
【主权项】：
用于抛光含硅基材的化学机械抛光(CMP)方法，该方法包括下列步骤：(a)使含硅基材的表面与抛光垫和CMP组合物接触，该CMP组合物包含：(i)含水载体，(ii)二氧化铈研磨剂，(iii)带有具有4～9的pKa的官能团的抛光添加剂，和(iv)包含亲水部分和亲油部分的非离子型表面活性剂，其中该亲水部分具有500g/mol或更高的数均分子量；和其中该CMP组合物具有7或更小的pH；(b)使该抛光垫与该基材之间发生相对运动，同时保持该CMP组合物的一部分与该基材接触，以磨除该基材的该表面的至少一部分，由此抛光该基材。
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