[发明专利]薄膜成像方法和设备无效
| 申请号： | 200980126976.0 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102089874A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·安德鲁·巴多斯;索斯坦·托普克;伊恩·安德鲁·麦克斯威尔 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/62;G01R31/265 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;王青芝 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明提供用于使用光致发光成像来监视半导体薄膜的沉积和/或后沉积工艺的方法和设备。分析所述光致发光图像，以确定所述半导体膜的一种或多种性质及其横跨过所述膜的变化。这些性质用于推导关于沉积工艺的信息，关于沉积工艺的信息可以随后被用于调节沉积工艺条件和后续工艺步骤的条件。所述方法和设备具体用于基于薄膜的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 成像 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种监视薄膜沉积工艺的方法，所述方法包括如下步骤：(a)利用预定的照明照射通过所述沉积工艺生长的半导体薄膜的区域或正在通过所述沉积工艺生长的半导体薄膜的区域，以从所述薄膜产生光致发光；(b)捕捉所述光致发光的图像；(c)处理所述图像，以确定所述薄膜的一种或一种以上的性质；(d)使用所述一种或一种以上的性质来推导关于所述沉积工艺的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
