[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法、以及使用了该有机晶体管的显示器用构件及显示器无效
申请号: | 200980124794.X | 申请日: | 2009-06-22 |
公开(公告)号: | CN102077355A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 矢作公 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够以低温形成栅绝缘膜的有机薄膜晶体管。本发明的有机薄膜晶体管具备源电极、漏电极、成为源电极和漏电极之间的电流路径的有机半导体层、对通过电流路径的电流进行控制的栅电极、使有机半导体层和栅电极绝缘的绝缘层,绝缘层由下述组合物的固化物形成,所述组合物包含在分子内具有2个以上由电磁线或热而生成与活性氢基反应的官能团的基团的第一化合物和在分子内具有2个以上活性氢基的第二化合物,且第一及第二化合物的至少一方为高分子化合物。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 使用 晶体管 显示 器用 构件 显示器 | ||
【主权项】:
一种有机薄膜晶体管,其特征在于,具备:源电极;漏电极;成为所述源电极和所述漏电极之间的电流路径的有机半导体层;对通过所述电流路径的电流进行控制的栅电极;和使所述有机半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层,其中,所述绝缘层由下述组合物的固化物形成,所述组合物包含在分子内具有2个以上由电磁线或热而生成与活性氢基反应的官能团的基团的第一化合物和在分子内具有2个以上活性氢基的第二化合物,且所述第一及第二化合物的至少一方为高分子化合物。
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