[发明专利]用于非易失性存储器的具有电流限制的反向设置有效
| 申请号： | 200980124526.8 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102077292A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·E·朔伊尔莱因;颜天鸿 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;钟锦舜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个可逆电阻切换元件的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于限制用于可逆电阻切换元件的设置电流的电路。存储器单元以反向偏压的方式被设置。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 具有 电流 限制 反向 设置 | ||
【主权项】：
一种存储系统，包括：可逆电阻切换存储器单元；电流限制电路；与所述可逆电阻切换存储器单元连通的第一控制线；与所述第一控制线连通的第一选择电路，该第一选择电路选择性地将第一信号提供给所述可逆电阻切换存储器单元；与所述可逆电阻切换存储器单元连通的第二控制线；以及与所述第二控制线连通的第二选择电路，该第二选择电路在所述第一选择电路将所述第一信号提供给可逆电阻切换存储器单元时选择性地将所述第二控制线连接到所述电流限制电路，以将反向偏压提供给所述可逆电阻切换存储器单元，所述反向偏压能够将所述可逆电阻切换存储器单元设置成低电阻状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D公司，未经桑迪士克3D公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980124526.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
