[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、晶体管基板、发光装置及显示装置无效
| 申请号： | 200980121674.4 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102057489A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 福原升;长谷川彰;松室智纪 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使活性层中使用金属氧化物的晶体管的阈值电压稳定的半导体装置，其包括第一金属氧化物层、薄膜电阻的值比所述第一金属氧化物大的第二金属氧化物层、与所述第一金属氧化物层电耦合的一对输入输出电极、和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极，并按照所述控制电极、所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层的顺序被配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 晶体管 发光 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：第一氧化物层，薄膜电阻的值比所述第一氧化物层大的第二氧化物层，与所述第一氧化物层电耦合的一对输入输出电极，和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极；并按照所述控制电极、所述第一氧化物层、所述第二氧化物层的顺序而配置。
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