[发明专利]半导体密封材料以及使用该半导体密封材料的半导体密封方法有效
| 申请号： | 200980119133.8 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102046548A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 桥本幸市 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/091 | 分类号： | C03C3/091;C03C3/089;C03C3/093;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;杨本良 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体密封材料的特征在于，由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10-7～110×10-7/℃。本发明的半导体密封材料不含对环境有害的物质，具有500℃以上的较高耐热温度，而且，可以密封镀铜铁镍合金等易氧化的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 密封材料 以及 使用 密封 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体密封材料，其特征在于，该半导体密封材料由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10‑7～110×10‑7/℃。
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