[发明专利]硅或活性金属的直接铸造无效
| 申请号： | 200980118732.8 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102084038A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·雨果;罗纳德·J·赖斯 | 申请（专利权）人： | 瑞科硅公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C01B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造固体多晶硅锭或晶片的方法，所述方法包括：将含硅气体引入至反应室内，其中所述反应室包含反应室壁和产物出口，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；在所述反应器空间内产生等离子体；通过使所述含硅气体经受足够的温度来热分解所述含硅气体，从而制造液体硅；在使所述含硅气体发生热分解的同时，将所述反应室壁的内表面保持硅熔点温度以下的平衡温度下；以及将所述液体硅从所述产物出口直接引入至模块中以将所述液体硅铸造成固体多晶硅锭或固体多晶硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 活性 金属 直接 铸造 | ||
【主权项】：
一种制造固体多晶体硅锭或晶片的方法，所述方法包括：将含硅气体引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁和产物出口，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；在所述反应器空间内产生等离子体；通过使所述含硅气体经受足够的温度来热分解所述含硅气体，以制造液体硅；在热分解所述含硅气体的同时，将所述反应室壁的内表面保持在硅熔点温度以下的平衡温度下；以及将所述液体硅从所述产物出口直接引入至模块中，所述模块用于将所述液体硅铸造成固体多晶体硅锭或固体多晶体硅晶片。
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