[发明专利]从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备无效
| 申请号： | 200980117876.1 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102067277A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | J·A·法拉沃利塔 | 申请（专利权）人： | 伊奥西尔能源公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/301;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;徐志明 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于从晶片锯切过程中产生的浆液中回收高纯度的硅、碳化硅和PEG的方法、系统和设备。含硅物质可被加工以用于生产富含硅的组合物。从含硅物质回收的碳化硅和PEG可以用来形成晶片锯切切削液。富含硅的组合物可以与含碘化合物反应，其可以进行纯化和/或用于形成沉积的高纯度硅。产生的硅可用于光伏工业或半导体工业中。 | ||
| 搜索关键词： | 废弃 晶片 锯切浆 回收 碳化硅 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于回收硅的方法，其包括：a)使用至少一种物理分离装置从切削浆分离含铁的微粒，从而产生浆产物；b)从所述浆产物除去液体，从而产生碳化硅和硅的粉末混合物；c)向包含四碘化硅的第一容器提供所述粉末混合物，从而产生含二碘化硅的蒸气；和d)向第二容器提供所述含二碘化硅的蒸气，其中由二碘化硅形成所述沉积的硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
