[发明专利]碳纳米膜可逆电阻可切换元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200980117734.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102027598A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李玉宝;阿普里尔·D·施里克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成微电子结构的方法，该微电子结构包括：第一导体；设置在第一导体上方的表面上的金属纳米粒子的不连续膜；该表面和金属纳米粒子的不连续膜上面形成的碳纳米膜；以及在碳纳米膜上方设置的第二导体。本发明提供了许多其他方面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 可逆 电阻 切换 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子结构，包括：第一导体；设置在所述第一导体上方的表面上的金属纳米粒子的不连续膜；在所述表面和所述金属纳米粒子的不连续膜上面形成的碳纳米膜；以及在所述碳纳米膜上方设置的第二导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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