[发明专利]织构化硅表面的方法及由该方法制造的晶片有效
| 申请号： | 200980117261.9 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102113123A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 因格玛·奥莱夫约德;蒂莫西·C·洛玛松 | 申请（专利权）人： | 诺鲁纳为股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C25F3/12;H01L21/3063 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 挪威纳*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 本发明涉及一种织构化硅表面的方法和通过所述方法制造的硅晶片，其中所述方法包括将晶片浸泡在pH＞10的碱性溶液中，并且在电解液中在晶片和铂电极之间施加+10至+85V范围内的电势差。 | ||
| 搜索关键词： | 织构化硅 表面 方法 制造 晶片 | ||
【主权项】：
一种织构化硅晶片的方法，其中所述方法包括：将所述晶片浸泡在pH＞10的碱性溶液中，以及在电解液中在所述晶片和铂电极之间施加+10V至+85V范围内的电势差。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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