[发明专利]层压结构体有效
申请号: | 200980116295.6 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN102017219A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 田中正信;田中健太;山内掌吾;东村秀之 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C08G61/02;H01L51/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;高旭轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
层压结构体,该层压结构体具有第一电极和第二电极,在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层,在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层,该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元中的重复单元,(1)(式中,Ar1表示二价芳基,R1表示含有式(2)所示的基团的取代基,该Ar1可以具有R1以外的取代基,n1表示1以上的整数)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中,R2表示可以具有取代基的二价芳基,Q1表示可以具有取代基的二价有机基团,Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子,M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-,Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子,c1表示0或1,n2表示0以上的整数,其中,c1为0时n2为0,a1表示1以上的整数,b1表示0以上的整数,选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0,Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基)。 |
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搜索关键词: | 层压 结构 | ||
【主权项】:
1.层压结构体,具有第一电极和第二电极,在该第一电极与该第二电极之间具有发光层或电荷分离层,在该发光层或电荷分离层与该第一电极之间具有包含共轭高分子化合物的层,该共轭高分子化合物具有选自式(1)所示的重复单元、式(3)所示的重复单元和式(5)所示的重复单元中的1种以上重复单元,
(式中,Ar1表示二价芳基,R1表示含有式(2)所示的基团的取代基,该Ar1可以具有R1以外的取代基,n1表示1以上的整数,R1存在多个时,它们可以相同或不同); -(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1 (2)(式中,R2表示可以具有取代基的二价芳基,Q1表示可以具有取代基的二价有机基团,Y1表示碳阳离子、铵阳离子、膦酰基阳离子或磺酰基阳离子,M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-,Z1表示金属离子或可以具有取代基的铵离子,c1表示0或1,n2表示0以上的整数,其中,c1为0时n2为0,a1表示1以上的整数,b1表示0以上的整数,选择a1和b1以使式(2)所示的取代基的电荷为0,Ra表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基,Q1存在多个时,它们可以相同或不同,M1存在多个时,它们可以相同或不同,Z1存在多个时,它们可以相同或不同);
(式中,Ar2表示二价芳基,R3表示含有式(4)所示的基团的取代基,该Ar2可以具有R3以外的取代基,n3表示1以上的整数,R3存在多个时,它们可以相同或不同); -(R4)c2-(Q2)n4-Y2(M2)a2(Z2)b2 (4)(式中,R4表示可以具有取代基的二价芳基,Q2表示可以具有取代基的二价有机基团,Y2表示-CO2-、-SO3-、-SO2-或-PO32-,M2表示金属阳离子或可以具有取代基的铵阳离子,Z2表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RbSO3-、RbCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-,c2表示0或1,n4表示0以上的整数,其中,Y2为SO3-时,n4为0,a2表示1以上的整数,b2表示0以上的整数,选择a2和b2以使式(4)所示的取代基的电荷为0,Rb表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基,Q2存在多个时,它们可以相同或不同,M2存在多个时,它们可以相同或不同,Z2存在多个时,它们可以相同或不同);
(式中,Ar3表示二价芳基,R5表示含有式(6)所示的基团的取代基,该Ar3可以具有R5以外的取代基,n5表示1以上的整数,R5存在多个时,它们可以相同或不同); -R6{-(CH2)n6-Y3}m1 (6)(式中,R6表示一价芳基,n6表示0以上的整数,m1表示1以上的整数,Y3表示-CN或式(7)~(14)所示的基团,Y3存在多个时,它们可以相同或不同,n6存在多个时,它们可以相同或不同,式(6)所示的基团含有4个以上杂原子);-O-(R’O)a4-R” (7)-S-(R’S)a3-R” (8)-C(=O)-(R’-C(=O))a3-R” (9)-C(=S)-(R’-C(=S))a3-R” (10)-N(R’)-(N(R’))a3-R” (11)-C(=O)O-(R’-C(=O)O)a3-R” (12)-C(=O)-O-(R’O)a3-R” (13)-NHC(=O)-(R’NHC(=O))a3-R” (14)(式(7)~(14)中,R’表示可以具有取代基的二价烃基,R”表示氢原子、可以具有取代基的一价烃基、-COOH、-SO3H、-OH、-SH、-NRc2、-CN或-C(=O)NRc2,a3表示0以上的整数,a4表示3~20的整数,Rc表示可以具有取代基的碳原子数为1~30的烷基或可以具有取代基的碳原子数为6~50的芳基,R’存在多个时,它们可以相同或不同)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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