[发明专利]氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

主权项

一种氮化物半导体层的形成方法，是通过有机金属气相生长法来使氮化物半导体层生长的氮化物半导体层的形成方法，其包括：步骤(S1)，其将至少在上面具有表面为m面的氮化物半导体晶体的基板配置于反应室内；升温步骤(S2)，其加热所述反应室内的所述基板，使所述基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在所述升温步骤(S2)之后，在所述基板上使氮化物半导体层生长，所述升温步骤(S2)包括向所述反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体的步骤。