[发明专利]用于基板的等离子体辅助处理的等离子体处理装置和方法有效
| 申请号： | 200980115927.7 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102017057A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | U·克罗尔;B·莱格拉迪克 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;蒋骏 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种远程等离子体源，包括平行布置并彼此电DC隔离的第一板状电极(7s)和第二板状电极(7b)。两个电极(7s，7b)可操作地连接至Rf发生器(11)。第一电极(7s)具有自由地暴露于基板支持器(3)的表面，并具有沿其表面范围分布的通孔(19)的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 辅助 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括：‑真空容器；‑用于待处理基板的基板支持器；‑远程等离子体源；其中所述远程等离子体源包括：●第一板状的二维延伸的导电电极；●第二二维延伸的导电电极；●所述第一和所述第二电极基本平行并彼此电DC隔离；●所述第一和所述第二电极在操作中连接至以预定频率和预定功率产生Rf信号的电Rf发生器；●所述第一电极具有自由地暴露于所述基板支持器的表面，并具有后表面，以及进一步包括沿其表面范围分布的通孔的图案；●所述第二电极具有暴露于所述第一电极的所述后表面、并与其以一距离隔开的表面，从而在所述第一电极的所述后表面与所述第二电极的暴露的所述表面之间限定出间隔；●邻接于所述间隔中的进气开口的图案；●所述通孔被设计尺寸以在其中在所述预定Rf频率、所述预定功率和预定气压下建立等离子体；●所述距离使得在所述间隔内的等离子体产生在所述预定Rf频率、所述预定功率和预定气压下在所述间隔内基本被阻止。
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