[发明专利]固态摄像元件有效
| 申请号: | 200980115877.2 | 申请日: | 2009-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN102017151A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
| 发明(设计)人: | 舛冈富士雄;中村广记 | 申请(专利权)人: | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种图像传感器,其受光部的表面积相对于1像素的表面积的比例为较大。本发明通过一种固态摄像元件来达到上述目的,该固态摄像元件具备有:信号线,形成于衬底上;岛状半导体,配置于所述信号线上;以及像素选择线,连接于所述岛状半导体的上部;所述岛状半导体具备:第1半导体层,配置于所述岛状半导体的下部,且连接于所述信号线;第2半导体层,邻接于所述第1半导体层的上侧;栅极,隔介绝缘膜连接于所述第2半导体层;电荷蓄积部,连接于所述第2半导体层,且由一旦受光,电荷量便变化的第3半导体层所构成;以及第4半导体层,邻接于所述第2半导体层与所述第3半导体层的上侧,且连接于所述像素选择线;所述像素选择线通过透明导电膜来形成;所述栅极的一部分配置于在所述第2半导体层的侧壁所形成的凹处的内部。 | ||
| 搜索关键词: | 固态 摄像 元件 | ||
【主权项】:
一种固态摄像元件,其特征在于,具备有:信号线,形成于衬底上;岛状半导体,配置于所述信号线上;以及像素选择线,连接于所述岛状半导体的上部;所述岛状半导体具备:第1半导体层,配置于所述岛状半导体的下部,且连接于所述信号线;第2半导体层,邻接于所述第1半导体层的上侧;栅极,隔介绝缘膜连接于所述第2半导体层;电荷蓄积部,连接于所述第2半导体层,且由一旦受光,电荷量便变化的第3半导体层所构成;以及第4半导体层,邻接于所述第2半导体层与所述第3半导体层的上侧,且连接于所述像素选择线;所述像素选择线通过透明导电膜来形成;所述栅极的一部分配置于在所述第2半导体层的侧壁所形成的凹处的内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本优尼山帝斯电子株式会社,未经日本优尼山帝斯电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980115877.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





