[发明专利]用于光生伏打装置的基材无效
| 申请号： | 200980115745.X | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102017171A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | N·F·博雷利;D·W·哈尔;G·E·科恩基;A·M·马约利 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/048;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了用于光生伏打电池的光散射基材，覆材和/或层。所述结构可以在薄膜光生伏打电池中用于体积散射。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光生伏打 装置 基材 | ||
【主权项】：
一种光生伏打装置，其包括：一种基材，其包含无机基质以及设置在所述无机基质中的具有光散射性质的区域；与基材相邻的导电材料；以及与所述导电材料相邻的活性光生伏打介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
