[发明专利]贯通电极的形成方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。

主权项

一种贯通电极的形成方法，在半导体基板一侧的面上形成有层间绝缘膜且在所述层间绝缘膜配置有包含有源元件的电子电路，利用贯通电极将与所述电子电路连接并设于所述一侧的面上的电极和形成于所述半导体基板另一侧的面侧的导电层相连接，所述贯通电极的形成方法的特征在于，具有如下工序：第一工序，该工序在所述半导体基板形成自另一侧的面朝向所述电极而通到所述层间绝缘膜的通孔；第二工序，该工序在所述通孔的侧面及底面、以及所述另一侧的面上形成绝缘膜；第三工序，该工序通过对形成于所述底面的所述绝缘膜和所述电极上的所述层间绝缘膜进行蚀刻加工，使所述电极的一侧的面侧的表面露出；第四工序，该工序在所述半导体基板的所述另一侧的面、以及所述通孔的侧面及底面上分别形成金属层而形成所述贯通电极，利用所述贯通电极使在所述第三工序中露出的所述电极和所述金属层连接。