[发明专利]硅氧烷组合物和有机发光二极管无效

专利信息
申请号: 200980114221.9 申请日: 2009-02-23
公开(公告)号: CN102015900A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: T·铃木;D·威特克尔 申请(专利权)人: 陶氏康宁公司
主分类号: C08L83/08 分类号: C08L83/08;C08G77/28;C09K11/07;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张钦
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种硅氧烷组合物,它包含(A)通过使至少一种噻吩基取代的硅烷和交联剂与水在有机溶剂存在下反应,形成含水解产物的有机相和水相,并分离有机相与水相,和(B)有机溶剂,和一种有机发光二极管(OLED),它含有含通过施加前述硅氧烷组合物形成膜和固化该膜制备的固化的聚硅氧烷的空穴传输/空穴注入层。
搜索关键词: 硅氧烷 组合 有机 发光二极管
【主权项】:
一种硅氧烷组合物,它包含:(A)通过使(a)通式为Th‑(CH2)m+2SiR1nX3‑n的至少一种噻吩基取代的硅烷和(b)选自(i)通式为(R3bSiX4‑b)的至少一种硅烷,(ii)每一分子平均具有至少两个甲硅烷基的至少一种有机化合物,其中甲硅烷基的通式为‑SiR3cX3‑c,和(iii)含(i)和(ii)的混合物中的交联剂与水在有机溶剂存在下反应,形成含水解产物的有机相和水相,和分离有机相与水相而制备的水解产物,其中R1是不含脂族不饱和键的C1‑C10烃基,X是可水解基团,Th是噻吩基或取代的噻吩基,R3是C1‑C10烃基或‑H,m为0‑10,n为0、1或2,b为0或1,和c为0、1或2;和(B)有机溶剂。
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