[发明专利]M相耦合的磁元件以及相关的电感结构有效
| 申请号： | 200980113783.1 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102007553A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 亚历山德·伊克拉纳科夫;安东尼·斯特拉塔科夫 | 申请（专利权）人： | 沃特拉半导体公司 |
| 主分类号： | H01F37/00 | 分类号： | H01F37/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种M相耦合电感器，包括磁芯和M个绕组，其中M为大于1的整数。所述磁芯由芯材形成，并包括第一外置腿，所述第一外置腿形成第一缝隙。所述第一缝隙包括第一缝隙材料，所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率。每个绕组至少部分地缠绕所述磁芯的至少一部分，每个绕组具有各自的漏电感。所述第一缝隙使得所述漏电感大于所述第一外置腿未形成所述第一缝隙时的漏电感。所述耦合电感器可用于电源中，且所述电源可用于计算设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 元件 以及 相关 电感 结构 | ||
【主权项】：
一种M相耦合电感器，其中M为大于1的整数，所述耦合电感器包括：磁芯，由芯材形成，所述磁芯包括第一外置腿，所述第一外置腿形成第一缝隙，所述第一缝隙包括第一缝隙材料，所述第一缝隙材料具有的导磁率低于所述芯材的导磁率；以及M个绕组，每个绕组至少部分地缠绕所述磁芯的至少一部分，每个绕组具有各自的漏电感，其中，所述第一缝隙使得所述漏电感大于所述第一外置腿未形成所述第一缝隙时的漏电感。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沃特拉半导体公司，未经沃特拉半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980113783.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
