[发明专利]溅射设备及制造金属化结构的方法

摘要

一种沈积金属化结构(1)的方法包含沈积TaN层(4)，其通过多个脉冲来施加电源于阳极与靶材之间，而由靶材反应式地溅射Ta至基材(2)上，以形成TaN晶种层(4)。Ta层(5)是沈积于TaN晶种层(4)上，其通过多个脉冲来施加电源，并施加高频率信号于支撑基材(2)的基座上，以产生自偏压场邻接于基材(2)。

主权项

一种沈积金属化结构的方法，其特征在于：包括：提供基材；沈积氮化钽层，其是利用提供靶材来溅射于所述基材上，所述靶材是至少部分由钽所形成；提供溅射气体，其包含氮和惰性气体；以多个脉冲来施加电源于阳极与阴极之间，所述阴极包括靶材，其中所述脉冲是以介于10Hz与1000Hz之间的频率与介于0.01％与20％之间的占空比来进行施加，并产生介于0.1A/cm2与10A/cm2之间的电流密度于所述靶材上；施加磁场，其邻接于所述靶材的表面；在所述电源的每一所述脉冲的期间中，反应性地由所述靶材溅射钽至所述基材，以形成氮化钽晶种层；沈积钽层于所述氮化钽晶种层上，其是利用提供磁场来邻接于所述靶材的所述表面；提供惰性溅射气体；以多个脉冲来施加所述电源于所述阳极与所述阴极之间，所述阴极包括所述靶材，其中所述脉冲是以介于10Hz与1000Hz之间的频率与介于0.01％与20％之间的占空比来进行施加，并产生介于0.1A/cm2与10A/cm2之间的电流密度于所述靶材上；施加磁场，其邻接于所述靶材的表面；施加高频率信号于支撑所述基材的基座，以产生自偏压场来邻接于所述基材；以及在所述电源的每一所述脉冲的期间中，由所述靶材沈积钽至所述氮化钽层上，以形成所述钽层。