[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系合金有效
| 申请号： | 200980111916.1 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101983249A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 江良尚彦;桑垣宽 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/00;C22F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种通过在Cu-Ni-Co-Si系合金中使Cr添加效果更佳地发挥而使特性飞跃性提高，即高强度、高导电性的科森系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Co：0.1～2.5质量％、Cr：0.0030～0.3质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成；Ni与Co的合计质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为4≤[Ni+Co]/Si≤5，对于分散于材料中的大小为0.1μm～5μm的Cr-Si化合物，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5；其分散密度大于1×104个/mm2、且为1×106个/mm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu ni si co cr 合金 | ||
【主权项】：
一种电子材料用铜合金，其含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Co：0.1～2.5质量％、Cr：0.003～0.3质量％，其中，Ni与Co的合计质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为4≤[Ni+Co]/Si≤5，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成；对于分散于材料中的大小为0.1μm～5μm的Cr‑Si化合物，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5；其分散密度大于1×104个/mm2，且为1×106个/mm2以下。
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