[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200980110742.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101981702A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 谷本智;桐谷范彦;牧野俊晴;小仓政彦;德田规夫;加藤宙光;大串秀世;山崎聪 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/28;H01L21/329;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层，其具有第一杂质浓度的杂质；第二导电型的第二半导体层，其导电型与上述第一导电型不同，与上述第一半导体层相接合，具有高于上述第一杂质浓度的第二杂质浓度的杂质；第一电极，其与上述第一半导体层整流接触；以及第二电极，其与上述第二半导体层欧姆接触。
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