[发明专利]多层介质基板及半导体封装有效
| 申请号： | 200980109860.6 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101971327A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 八十冈兴祐 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层介质基板，包括：第一空腔谐振抑制电路(20A)，该第一空腔谐振抑制电路(20A)抑制第一信号波的空腔谐振；以及第二空腔谐振抑制电路(20B)，该第二空腔谐振抑制电路(20B)抑制频率不同于第一信号波的第二信号波的空腔谐振。所述两个空腔谐振抑制电路分别包括：开口部(50A、50B)，该开口部(50A、50B)形成于表层接地导体18；阻抗变换器，该阻抗变换器的长度为信号波的基板内有效波长的约1/4的奇数倍；前端短路的介质传输线路，该前端短路的介质传输线路的长度为信号波的基板内有效波长的约1/4的奇数倍；耦合开口，该耦合开口形成于内层接地导体；以及电阻，该电阻形成于耦合开口，从而得到抑制多个频率信号波的空腔谐振的多层介质基板。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 介质 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种多层介质基板，在介质基板上形成空腔，在空腔内安装半导体器件，该多层介质基板具备空腔谐振抑制电路，包括：开口部，该开口部形成于所述空腔内的介质基板上所配置的表层接地导体；阻抗变换器，该阻抗变换器形成于介质基板内，通过所述开口部与所述空腔电耦合，其长度为信号波的基板内有效波长的约1/4的奇数倍；前端短路的介质传输线路，该前端短路的介质传输线路形成于介质基板内，其长度为信号波的基板内有效波长的约1/4的奇数倍；耦合开口，该耦合开口形成于所述阻抗变换器和介质传输线路的连接部中的内层接地导体；以及电阻，该电阻形成于所述耦合开口，所述多层介质基板的特征在于，包括：第一空腔谐振抑制电路，该第一空腔谐振抑制电路抑制第一信号波的空腔谐振；以及第二空腔谐振抑制电路，该第二空腔谐振抑制电路抑制频率不同于所述第一信号波的第二信号波的空腔谐振。
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