[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980108694.8 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101971368A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 冈部健彦;平岩大介;中田正人;三木久幸;福永修大;篠原裕直 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，具有：基板；形成于所述基板上的包含发光层的叠层半导体层；在所述叠层半导体层的上面形成的透光性电极；以及，在所述透光性电极上形成的接合层和焊盘电极，所述焊盘电极由包含从透光性电极侧依次层叠的金属反射层和连接层的叠层结构构成，所述金属反射层包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。
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