[发明专利]半导体装置、其制造方法和显示装置无效
| 申请号： | 200980108572.9 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101971306A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 福岛康守;高藤裕;守口正生;多田宪史;史蒂芬·罗伊·德鲁斯 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，所述半导体装置可以提高在被薄膜化的基体层中所形成的、且被接合到其它基板上的PMOS晶体管的亚阈特性。本发明的半导体装置是具备基板和器件部的半导体装置，所述器件部被接合到上述基板，上述器件部包含基体层和PMOS晶体管，上述PMOS晶体管包含第一电传导路径和第一栅极电极，上述第一电传导路径形成在上述基体层的配置有上述第一栅极电极的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备基板和器件部，所述器件部被接合到该基板，所述半导体装置的特征在于：该器件部包含基体层和PMOS晶体管，该PMOS晶体管包含第一电传导路径和第一栅极电极，该第一电传导路径形成在该基体层的配置有该第一栅极电极的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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