[发明专利]形成磁隧道结装置的方法有效
| 申请号： | 200980107899.4 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101960530A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李霞 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01F10/32;H01L27/22;H01L43/08;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种形成磁隧道结装置(104)的方法，该方法包括在衬底中形成沟槽、在沟槽内沉积导电端子以及在沟槽内沉积磁隧道结(MTJ)结构。该(MTJ)结构包括具有固定磁定向的固定磁层(124)、隧道结层(116)和具有具可配置磁定向的自由磁层(118)。固定磁层沿着大体上垂直于衬底的表面延伸的界面而耦合到导电端子(120、122)。邻近于导电端子的自由磁层携载适于存储数字值的磁畴(124、126)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 隧道 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁隧道结装置的方法，所述方法包含：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽内沉积导电端子；以及在所述沟槽内沉积磁隧道结(MTJ)结构，所述MTJ结构包括具有固定磁定向的固定磁层、隧道结层和具有可配置磁定向的自由磁层，所述固定磁层沿着大体上垂直于所述衬底的表面延伸的界面而耦合到所述导电端子，邻近于所述导电端子的所述自由磁层携载适于存储数字值的磁畴。
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