[发明专利]等离子处理方法

摘要

本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。

主权项

一种等离子处理方法，其特征在于，包含以下步骤，沿形成在真空槽内的环形磁中性线形成高频电场，使导入所述真空槽内的气体等离子化的步骤，在所述真空槽内，使用所述等离子对表面形成有掩膜图案的基板进行蚀刻处理的步骤，使用所述等离子对设置在所述真空槽内的靶材进行溅射加工，在形成在所述基板上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的步骤，在包括对所述基板进行蚀刻处理和形成所述保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变所述磁中性线半径的步骤。