[发明专利]存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法

摘要

在一些实施例中，一种存储器单元包括：晶体管栅极，其通过栅极电介质而与沟道区域间隔；源极区域，其位于所述沟道区域的一侧上；及漏极区域，其位于所述沟道区域的与源极区域相反的一侧上。所述沟道区域具有邻近于漏极区域的相变材料。在一些实施例中，所述相变材料可邻近于源极区域与漏极区域两者。一些实施例包括对具有邻近于漏极区域的相变材料的存储器单元进行编程的方法。反转层邻近于栅极电介质而形成于沟道区域内，其中所述反转层在邻近于漏极区域的相变材料内具有夹断区域。利用所述夹断区域内的热载流子(例如，电子)来改变相变材料内的相位。

主权项

一种对存储器单元进行编程的方法，其包含：提供含有晶体管的存储器单元；所述晶体管包括通过栅极电介质而与沟道区域间隔的晶体管栅极，包括位于所述沟道区域的一侧上的第一源极/漏极区域，且包括位于所述沟道区域的与所述第一源极/漏极区域相反的一侧上的第二源极/漏极区域；其中所述沟道区域包含邻近于所述第一源极/漏极区域的第一体积的可编程材料，且包含邻近于所述第二源极/漏极区域的第二体积的可编程材料；将所述第一源极/漏极区域用作源极且将所述第二源极/漏极区域用作漏极以引发所述存储器单元的一种存储器状态；以及将所述第二源极/漏极区域用作源极且将所述第一源极/漏极区域用作漏极以引发所述存储器单元的另一种存储器状态；对所述存储器状态的所述引发包括：在所述沟道区域内邻近于所述栅极电介质形成第一反转层，所述第一反转层在所述第一体积的可编程材料内具有第一夹断区域；利用所述第一夹断区域内的热载流子来改变所述第一体积的可编程材料内的相位且借此实现第一存储器状态；在所述沟道区域内邻近于所述栅极电介质形成第二反转层，所述第二反转层在所述第二体积的可编程材料内具有第二夹断区域；以及利用所述第二夹断区域内的热载流子来改变所述第二体积的可编程材料内的相位且借此实现第二存储器状态。