[发明专利]使用非晶氧化物的场效应晶体管有效
| 申请号： | 200980103002.0 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101926008A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 岩崎达哉;高亚阿米达;板垣奈穗 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极以及栅极电极，其中，所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，以及其中，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。
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