[发明专利]硅激光器-量子阱混合晶片结合的集成平台无效
| 申请号： | 200980102511.1 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102067284A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马修·N·西萨克;约翰·E·鲍尔斯;亚历山大·W·方;玄戴·帕克 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种硅上光子集成电路。通过将化合物半导体材料的晶片作为有源区结合到硅并移除衬底，可在硅衬底上使用标准光刻技术处理激光器、放大器、调制器和其它装置。根据本发明的一个或一个以上实施例的硅激光器混合集成装置包括包括在顶部表面中的至少一个波导的绝缘体上硅衬底和包括增益层的化合物半导体衬底，所述化合物半导体衬底经受量子阱混合工艺，其中所述化合物半导体衬底的上表面结合到所述绝缘体上硅衬底的所述顶部表面。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 量子 混合 晶片 结合 集成 平台 | ||
【主权项】：
一种硅激光器混合集成装置，其包括：绝缘体上硅衬底，其包括在顶部表面中的至少一个波导；以及化合物半导体衬底，其包括增益层，所述化合物半导体衬底经受量子阱混合工艺，其中所述化合物半导体衬底的上表面结合到所述绝缘体上硅衬底的所述顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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