[发明专利]用于生长碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 200980102150.0 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101910476A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 寺岛由纪夫;藤原靖幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过将C溶入到包含Si、Cr和X的熔体中来制备，X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成，使得熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且X的比例为1至25原子％，以及由所述溶液生长碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种通过使碳化硅单晶衬底与包含C的溶液接触而用于在所述衬底上生长碳化硅单晶的方法，所述包含C的溶液通过在石墨坩埚中加热和熔融Si并且将C从所述石墨坩埚溶入到包含Si的熔体中来制备，所述方法包括：通过将C溶入到包含Cr和X的所述熔体中来制备所述包含C的溶液，使得所述熔体的总组成中Cr的比例为30至70原子％，并且所述熔体的总组成中X的比例为1至25原子％，其中X由Sn、In和Ga中的至少一种元素组成；和由所述溶液生长所述碳化硅单晶。
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