[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980100324.X | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102084483A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;林将志;桥本浩一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具备：基板；半导体层，其形成在上述基板上；第1导电类型半导体区域，其形成在上述半导体层的表面；第2导电类型半导体区域，在上述半导体层的上述表面上，其包围上述第1导电类型半导体区域；以及导电体，其具有与上述第1导电类型半导体区域和第2导电类型半导体区域接触的导电面，该半导体元件的特征在于，上述半导体层包含碳化硅，在上述半导体层的上述表面上，上述第1导电类型半导体区域具有沿着第1轴延伸的至少一个第1带状部分，上述第1导电类型半导体区域的沿着上述第1轴的宽度大于上述导电面的沿着上述第1轴的宽度，上述导电面的轮廓横切上述至少一个第1带状部分。
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