[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200980100212.4 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101785064A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 小池刚 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C11/41 分类号: G11C11/41
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置。在存储单元(100)中,由开关用晶体管(31)、复位用晶体管(32)、输出布线驱动用晶体管(33)构成将读取位线(RBIT)作为输出布线的读取电路(30)。开关用晶体管(31)根据读取字线(/RWL0)的控制信号连接存储电路(10)的数据保持节点(MD)和控制线(DR)。复位用晶体管(32)根据复位控制信号(RST)对控制线(DR)进行复位。输出布线驱动用晶体管(33)具有与控制线(DR)连接的栅极、与读取位线(RBIT)连接的漏极、与接地电源连接的源极。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
一种半导体存储装置,具备共用输出布线的多个存储单元,其特征在于,所述多个存储单元的每一个具备:存储电路,其具有数据保持节点;写入电路,其向所述存储电路写入数据;和读取电路,其从所述存储电路读取数据;所述读取电路具备:开关用晶体管,其根据第一控制信号,连接所述数据保持节点和控制线;复位用晶体管,其根据第二控制信号,对所述控制线进行复位;和输出布线驱动用晶体管,其具有与所述控制线连接的栅极、与所述输出布线连接的漏极、与电源连接的源极。
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