[实用新型]互补式金属氧化层半导体感测封装结构有效

专利信息
申请号: 200920316168.8 申请日: 2009-11-30
公开(公告)号: CN201594539U 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 卢旋瑜;朱贵武;梁裕民 申请(专利权)人: 茂邦电子有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L23/28;H01L23/48;H01L23/488
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 何为
地址: 中国台湾桃园县芦*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构,其包含一具有感测区、封装部及数个接点的感测芯片;设于感测芯片上的第一介电层;数个设于第一介电层上的布线区,各布线区以数个接脚与各接点连接,并于各布线区上分别设有锡球;设于各布线区间的第二介电层;以及一设于各布线区一面上的保护层。藉此,可省略印刷电路板及引线键合的设计,达到体积缩小、成本降低以及利于后续组装的功效。
搜索关键词: 互补 金属 氧化 半导体 封装 结构
【主权项】:
一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构,包括感测芯片,其特征在于:还包括第一介电层、数个布线区、第二介电层及保护层,该感测芯片的一面上具有感测区,且于该感测芯片的该面上设有封装部,并于感测芯片上设有数个接点;该第一介电层设于感测芯片的另一面上;数个布线区设于第一介电层上,且各布线区以数个接脚与各接点连接,并于各布线区上分别设有锡球;该第二介电层设于各布线区之间;该保护层设于各布线区的一面上。
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