[实用新型]互补式金属氧化层半导体感测封装结构有效
申请号: | 200920316168.8 | 申请日: | 2009-11-30 |
公开(公告)号: | CN201594539U | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 卢旋瑜;朱贵武;梁裕民 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/28;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为 |
地址: | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构,其包含一具有感测区、封装部及数个接点的感测芯片;设于感测芯片上的第一介电层;数个设于第一介电层上的布线区,各布线区以数个接脚与各接点连接,并于各布线区上分别设有锡球;设于各布线区间的第二介电层;以及一设于各布线区一面上的保护层。藉此,可省略印刷电路板及引线键合的设计,达到体积缩小、成本降低以及利于后续组装的功效。 | ||
搜索关键词: | 互补 金属 氧化 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种互补式金属氧化层半导体感测封装结构,包括感测芯片,其特征在于:还包括第一介电层、数个布线区、第二介电层及保护层,该感测芯片的一面上具有感测区,且于该感测芯片的该面上设有封装部,并于感测芯片上设有数个接点;该第一介电层设于感测芯片的另一面上;数个布线区设于第一介电层上,且各布线区以数个接脚与各接点连接,并于各布线区上分别设有锡球;该第二介电层设于各布线区之间;该保护层设于各布线区的一面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的